- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录455 > IXFN30N110P (IXYS)MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
OBSOLETE
IXFN30N110P
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
30
V GS = 10V
70
25
8V
60
V GS = 10V
50
20
7V
40
15
10
7V
30
20
6V
5
0
6V
10
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
5
10
15
20
25
30
30
25
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
V GS = 10V
3.2
2.8
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 15A Value
vs. Junction Temperature
V GS = 10V
20
7V
2.4
2.0
I D = 30A
15
10
5
0
6V
5V
1.6
1.2
0.8
0.4
I D = 15A
0
5
10
15
20
25
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.6
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 15A Value
vs. Drain Current
26
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.4
V GS = 10V
T J = 125oC
24
22
2.2
2.0
1.8
1.6
20
18
16
14
12
10
1.4
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
IXFN30N120P
MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
IXFN320N17T2
MOSFET N-CH 170V 260A SOT227
IXFN32N100P
MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
IXFN32N120P
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
IXFN32N120
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
IXFN340N06
MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B
IXFN340N07
MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B
IXFN34N100
MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B
相关代理商/技术参数
IXFN30N120P
功能描述:MOSFET 30 Amps 1200V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN320N17T2
功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXFN32N100P
功能描述:MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN32N100Q3
功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/28A
RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN32N120
功能描述:MOSFET 32 Amps 1200V 0.550 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN32N120P
功能描述:MOSFET 32 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN32N60
功能描述:MOSFET 32 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN32N80P
功能描述:MOSFET 29 Amps 800V 0.27 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube